时间: 2024-04-23 19:59:32 | 作者: 电机
、SiC MOSFET和GaN，这几种器材均为电压驱动型器材，不一样器材的也不完全相同，比方MOSFET一般驱动电压为12V；IGBT驱动电压到达15V，SiC MOSFET驱动电压15~18V，需求负压关断；GaN依据电压等级和器材自身结构驱动电压不相同，200V以下器材用有6V，200V以上Cascode结构器材用15V。运用中，选用双脉冲试验测验开关管的动态功用，依据需求规划驱动电路和挑选
单管变换器只需求选用单通道驱动器即可，半桥驱动能够运用双通道驱动、自举驱动或推挽驱动等。从前在自学驱动电路时找到了一篇叙述各种驱动电路规划的文章《高速MOSFET门极驱动电路规划与运用攻略》，文章中具体地叙述了各式各样的方式驱动电路的原理和规划办法，需求材料的朋友能够文末“阅览原文”中获取。
下面叙述一下自己在规划DAB变换器时对驱动电路的考虑，DAB变换器由变压器原副边两个全桥电路和磁性器材组成，两个全桥结构共有8只开关管，规划中为了简化驱动电路和进步驱动的牢靠性，挑选了阻隔式双通道驱动器NSI6602。
之前做驱动和挑选器材时，查阅世界大厂UCC系列驱动，因为大环境影响，在价格和缺货的两层影响下，终究挑选了国产器材代替，找到了上述这款与UCC系列阻隔双通道器材引脚功用对应的器材，在建立变换器的过程中，该器材发挥了很大的效果，驱动安稳牢靠（不进行具体的动态剖析）。
该器材选用电容阻隔计划，是一款高牢靠性的阻隔式双通道栅极驱动IC，能够规划为驱动高达2MHz开关频率的功率晶体管。每个输出能够以快速的25ns传达推迟和5ns的最大推迟匹配来供给最大4A/6A的拉灌电流才能。
依据器材数据书册和参阅规划电路研发了半桥驱动模块。测验了DAB变换器单移相调制时序。